DRAM의 종류 및 특성
Enhanced DRAM
- 일반 DRAM 칩내에 작은 SRAM 캐쉬를 포함한 구조
- 마지막으로 읽혔던 row 전체 내용을 저장
- 가장 최근의 row address 를 저장하고 있음
- 다음 액세스가 같은 row address 일 경우 고속의 SRAM 캐쉬에서 인출
- 그이외의 특징
- refresh 와 캐쉬 읽기 동작이 병렬로 수행될 수 있음
- 읽기 와 쓰기 포트가 독립적으로 읽기 액세스와 쓰기 액세스가 병렬로 동작 가능
- EDRAM 은 더 큰 외부 캐쉬를 연결한 것 보다 성능이 우수
Cache DRAM
- EDRAM 보다 더 큰 SRAM 캐쉬를 포함
- EDRAM 이 한개의 row 블럭만 가지고 있는데 반해 캐쉬는 실제 캐쉬처럼 동작가능
SDRAM
- Synchronous DRAM
- 외부 클럭과 동기되어 대기 시간없이 프로세서/기억장치 버스 속도로 데이타 교환
- burst mode 지원
- on-chip 병렬성을 높이기 위한 dual-bank 내부구조
Rambus DRAM
- 대역폭을 획기적으로 향상 시킴
- 12cm 이하의 길이를 같는 28개의 선들을 통하여 프로세서와 데이타를 교환
- asynchronous block-oriented protocol 을 이용하여 주소와 제어 정보를 전달
- 처음 480ns 의 액세스 시간이 지난후에 500Mbps 의 데이타 전송이 가능
- 일반적인 DRAM 의 RAS, CAS, R/W 및 CE 에 의해 제어되지 않고 고속 버스를 통하여 요구
2002-09-30