메모리 설계부분에서요.. 전에 교수님께 찾아가서 질문했던 SRAM 설계에서 A2, A3를 이용 해독해서 4뱅크 인터리빙을 구현한다고 하셨는데요..거기서 궁금증이 생겨서여..

질문1) 인터리빙은 선충전시간을 없애기 위한 방법으로 사용되는걸로 알고 있는데 F/F에 저장되는 SRAM같은 경우는 인터리빙을 구현하는 목적자체가 없지 않나요? SRAM도 인터리빙구현시 얻게 되는 매리트가 있는지, 아니면 DRAM의 경우라 전재하고 4뱅크 인터리빙할 시에 어떤 어드레스 비트가 들어가는가에 대한 것인지 궁금합니다..

질문2) 이건 다른 부분인데요.. 교재에 나와있는 타이밍도에 CLK부터 D31 ~ D24의 순서(위에서 아래로)가 각 핀마다 발생하는 신호의 순서인가요?
(Little endian에서는 D24 ~ D31이 제일 나중에 나오고 Big endian에서는 D24 ~ D31이 제일 처음에 나오는걸로 봐선 맞는거 같기도 하고.. 알쏭달쏭해서요..)

수업시간에는 이해되서 넘어갔던 부분들이 차근히 공부하니깐.. 알쏭달쏭한게 너무 많이 생겨서요.. ^^; 
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질문 1)의 답변
인터리빙의 경우 주로 DRAM 을 위해 사용하나 반드시 그런 것은 아니다.
SRAM 이나 ROM 의 경우도 인터리빙으로 설계할 수 있다.

SRAM 은 주로 캐시에 사용되고 ROM 은 부팅 시에만 사용되기 때문에 메모리
접속속도를 높이는 인터리빙을 사용할 필요가 없다는 것 뿐이지 SRAM 이나 ROM 도 
접속속도를 빠르게 하기 위해 인터리빙을 사용할 수 있다.
인터리빙을 사용하면 메모리 접속속도를 빠르게 할 수 있다.

당연히 두개의 메모리가 번갈아 가면서 CPU 에게 데이터를 주면 더 빨리 줄 수 있지…
4뱅크 인터리빙에서 어떤 어드레스가 들어가는지 모른다는 것은 수업내용이 잘 이해가 안되었다는 이야기 인데…
32비트 메모리로 설계한다면 A2 와 A3 가 4뱅크 인터리빙의 주소가 되지….
왜냐고?
그것은 수업시간에 여러 번 설명된 것인데…
그래도 이해가 되지 않으면 내 연구실에 오기 바란다.

질문2)의 답변

D24~D31 과 D31~D24 로 표현한 것의 차이는 없다.
엔디안에 상관없이 바이트 단위에서 D31은 항상 D24보다 높은 유효비트이다.
엔디안은 바이트에만 상관 있는 것이다.

 답변 내용이 잘 이해가 되지 않거나, 다른 질문이 있으면 내 연구실에 방문바란다.
그럼…